《半导体》联电、力旺合作RRAM可靠度验证 续开发车用规格

力旺提供的8Mb RRAM IP具备额外的16Kb资讯储存区块，和内部修复与错误侦测／修正等关键功能，可用于物联网（IoT）设备中的微控制器（MCU）和智慧电源管理晶片的编码储存，还可以支援人工智慧（AI）的记忆体内运算架构。

而联电则提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，具备使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与双极互补扩散金氧半导体（Bipolar-CMOS-DMOS, BCD）、高压等特殊制程整合等优势。

RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温后端制程，几乎不会产生额外热预算。与分离闸快闪记忆体（split-gate Flash）相比，RRAM具相对简单结构、使用较少层光罩、较友善制程和更高的CMOS制程兼容性，在汽车应用中较MRAM拥有更佳的抗磁能力。

力旺技术长林庆源表示，对40、22奈米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式记忆体选项。力旺的下个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22奈米0.8V/2.5V平台实现更高的储存密度、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。

林庆源指出，力旺将继续推进在0.8V/1.8V超低功耗（ULP）上的开发。凭借用于读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。

联电技术开发部副总徐世杰表示，随着AIoT应用拓展，市场对低功耗非挥发性记忆体的需求渐增。力旺IP成功在联电22奈米RRAM平台完成验证，提供客户开发下一代产品更强大的记忆体解决方案。很高兴与力旺合作，持续强化AIoT与车用市场的嵌入式记忆体方案。