《半导体》与颀邦策略合作 联电开低

联电近年积极投入开发化合物半导体氮化镓(GaN)功率元件与射频元件制程开发，锁定市场商机为高效能电源功率元件及5G射频元件。颀邦在电源功率元件及射频元件封测市场经营多年，包括覆晶凸块(Bumping)、厚铜重布线(RDL)及晶圆级晶片尺寸(WLCSP)封测，适用晶圆材质除了矽(Si)外，也已经开始量产于砷化钾(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物晶圆上。颀邦也正在致力开发复晶系统级(FCSiP)、扇出型系统级(FOSiP)等先进封装技术。联电、颀邦分居产业供应链之上下游，两家公司将在这些市场区块通力合作。

基于双方多年来已在驱动IC的领域密切联系合作，双方董事会决议以换股方式，相互取得对方股权，更进一步强化双方长期策略合作关系。

三方同意依公司法第156条之3之规定进行股份交换，由颀邦增资发行普通股新股67,152,322股作为对价，以受让联电增资发行之普通股新股61,107,841股及宏诚创投所持有之联电已发行普通股16,078,737股。换股比例为联电每1股换发颀邦0.87股。

预计换股交易完成后，联电及子公司宏诚创投将共同持有颀邦约9.09%股权，颀邦则将持有联电约0.62%股权。

联电表示，面对半导体技术日趋精进，基于产业趋势及市场共同性，联电除了研发自有晶圆代工技术，也与策略伙伴携手合作，结合双方技术优势，整合上下游供应链资源，提供客户先进的制程技术方案及更完整的全方位服务。

联电上周五在三大法人持续买超推升下，股价开高走高，终场收在70元，创新高价，市值攀高至8696亿元，一举超越中华电及富邦金，跃居台股第5。