《产业分析》高技术门槛 抢进车用化合物半导体大不易(5-3)

顺德(2351)指出，新型SiC晶片可用IPM、TPAK方式封装，以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例，导线架Copper Clip和SiC晶片连接采用烧结银连接技术，可实现高可靠、高导电的连接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商，在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银技术，目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场，在导线架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外，由于烧结银的膜厚只有20um-50um，不像传统的锡膏搭接方式可透过锡膏量的调整补正搭接面共平面度不佳造成的搭接问题，烧结银的搭接技术对于搭加处的共平面度要求公差只有20um，对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。

在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，必须做模具，且放置晶片处用局部银，一个导线架搭两个晶片，晶片必须采局部银，其他导线架必须用镍钯金，材料差异对导线架制作是很大的技术挑战。

在二极体方面，德微(3675)表示，由于SiC晶圆由于长晶速度慢、缺陷率高，晶圆供应远远无法满足需求，取得SiC晶圆是现在进入汽车功率元件市场的入门票，目前SiC的长晶多采用物理气相输运法(PVT)，速度慢而且良率低，主要原因是SiC存在200多种晶体结构类型，其中六方结构的4H型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型SiC才是所需的半导体材料，需要精确控制矽碳比、生长温度梯度、晶体生长速率，以及气流气压等参数，否则易产生多晶型夹杂，导致产出晶体不合格。

再者，Full SiC Module目前仅应用于部份高阶车种，其余电动车大多数采取混合型SiC模组，常见的就是以SiC二极体搭配IGBT(Si制程)，且碳化矽功率模组大多以SiC SBD/MOSFET搭配Si IGBT/FRD/Diode进行组合。

SiC的SBD封装与传统SiC大不同，德微表示，由于SiC wafer硬度很强，伴随而来的就是脆，来料Wafer要进行Chip切割时，需要之切割设备与工具就与一般之Si材料不同，大多采用雷射切割机；且一般高电压/高电流大多采用陶瓷基板，但因SiC属硬脆材料，在封装过程中较容易因应力产生翘曲，有些铜基板或陶瓷基板，甚至必需先进行弯曲作业、以达到密合的效果；导线架在铜的纯度上跟面积，也要随着电压/电流进行改变，同时得选择高温封装材料的低电感等材料。

此外，由于SiC本身耐高温，因此适合在高电压产生高温下使用，但也因为产生高温，所以在散热基板上的选择也会相对要求较高。(5-3)