力成下半年重啟高資本支出 且循台積模式擴大日本布局

力成卡位高频宽记忆体 ，下半年重启高资本支出 ，且循台积模式扩大日本布局。记者简永祥／摄影

封测大厂力成（6239）董事长蔡笃恭表示，AI人工智慧在各领域持续扩散，为追求更具成本效益的高频宽记忆体（HBM）新的封装架构，将为力成开启全新的成长动能。在看好布局的面板级扇出型封装堆叠于载板（Panel level Fan Out on Substrate）技术及矽钻孔（TSV）技术，将成为未来HBM主流封装架构，且力成又比同业早先完成布局，决定今年下半年起 ，重启高资本支出，并循台积电赴日本投资模式，扩大日本先进封装投资。

蔡笃恭表示，包括力成、日月光、矽品及艾可尔等封装厂，都具备CoWoS封装的能力，只是CoWoS的关键材料矽中介层（interposer）掌握在台积电的设计路径，且过去晶圆厂只做矽中介层不划算，导致只有台积电能提供CoWoS产能。

他强调，在力成与华邦电协商由华邦电未来提供矽中介层下，双方决定合攻提供AI晶片产能瓶颈的CoWoS封装业务。

此外，力成也开发出Panel level Fan Out on Substrate，此技术与CoWoS最大不同点在于不需使用中介层（interposer），由于采用面板尺寸大面积封装，单位成本效益将会优于CoWoS，目前已有多家业者导入验证，预料今年会开始小量接单，明年则预期会带来可观的成长动能。

除此之外，他也看好矽钻孔（TSV）未来也会很快全面成本记忆体封装架构，在封装价格比覆晶封装更具诱因下，将快速成为新一代记忆体和逻辑晶片主流封装技术，这对力成来看，将会带来可观的成长动能。

他并强调为因应地缘政治风险，力成考虑循台积电与日本客户合资方式在日本扩大封装布局，切入封测领域会以先进技术如影像感测器、高频宽记忆体为主，但合资计划因还未与客户谈定，暂不透露，但此布局将会着眼于推升力成未来二到三成业绩成长所做的规画。

力成执行长谢永达表示，公司正与日本客户合作AI、HPC等产品先进封装开发案，最快今年底前就会开始贡献业绩。

蔡笃恭指出，力成今年就会开始重新加大资本支出的投资力道，将会投入在新产能及新技术研发。力成去年资本支出大约70亿～80亿元，预期今年将有望上看100亿元，未来将会逐步提升，且可望超越历年最高峰的170亿～180亿元。

谢永达表示，虽然力成西安厂已经与美光结束合作，目前初估影响大约30亿元营收，不过有信心在记忆体市场持续回温带动，加上先进封装产线有望逐步展现效益情况下，今年前三季营运将可望呈现逐季成长动能，全年业绩有望缴出优于去年的成绩单。