领先业界！意法半导体推串列页EEPROM

此创新架构让设计人员能够在同一记忆体上管理韧体和弹性存储资料，这种组合过去尚未存在。更高的记忆体整合度可以减少终端产品的物料清单（BoM）成本、缩短上市时间、增加应用价值，并实现尺寸更小的超低功耗模组，进而延长电池使用寿命。这些元件是在新系统设计中执行多合一非挥发性记忆体，并适用于工业物联网模组、穿戴式装置、医疗保健、电子货架边缘标签、智慧计量和5G光纤模组等新系统设计。

作为一个全新的开发成果，串列页EEPROM 整合意法半导体的e-STM 40nm非挥发性记忆体（Non-Volatile Memory，NVM）单元专利技术与新的智慧存储页架构，兼具高储存容量、位元组抹写弹性和高耐抹写次数，既有利于韧体管理，又能简化资料纪录。新产品亦具备读取、抹除和写入时间短之特点，快速地上传下载速度则可降低制造成本且减少应用停机时间。快速上电和四路输出进一步加速应用唤醒速度。

整合这种新简化记忆体可优化企业拥有成本、提升产品易用性、简化软体研发，以及提升产品可靠性。串列页EEPROM是一个成本相较FRAM更低的非挥发性记忆体解决方案，功耗比串列快闪记忆体（serial Flash）更低，且功能和易用性较Dataflash产品更佳。