三星今年资本支出位居第一　海放英特尔、台积电

▲半导体大厂展开激烈的资本支出竞赛。（图／达志影像）

记者周康玉／台北报导

全球半导体大厂展开激烈的资本支出竞赛中。IC Insights最新预测，三星支出今年资本支出为226亿美元，不仅海放第二名英特尔，还是台积电的2倍。

企业的资本支出越高，代表对来年的景气和产业前景的看好。

根据IC Insights对全球半导体厂资本支出预测，三星这两年（2017、2018）资本支出为468亿美元，几乎与英特尔和台积电共同设定的484亿美元的两年资本支出一致，带给英特尔台积电等竞争者极大压力。

报告预估，尽管三星今（2018）年的资本支出较去年的242亿美元略为下滑7%、为226亿美元，但仍将蝉联半导体业资本支出冠军，且两年总额达到468亿美元的惊人水准。

▼全球半导体大资本支出排名。（资料来源：IC Insight）

根据下图显示，三星自2010年开始，半导体资本支出正式突破100亿美元。值得注意的是2017年的资本支出成长比前一年（2016年）增加了一倍以上。

报告指出，三星近两年来的强劲资本支出恐带来负面影响，其中一个就是已经发生的记忆体产能过剩问题。IC Insights认为，三星对3D NAND闪存的巨额支出，加上竞争者海力士、美光、东芝、英特尔等竞相追赶，造成今年第三季以来的产能过剩现象。

此外，位居第三名的SK-海力士今年亦增加资本支出，今年初，SK-海力士就宣布资本支出要增加至少30％。SK-海力士增加资本支出的原因，是因韩国清州3D NAND闪存晶圆厂，及中国无锡的大型DRAM工厂的扩建。

总体而言，该报告预测今年半导体行业的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，创历史新高，然而明年将会下滑12％。