三星追赶台积电决战一领域 专利申请量全面上风

光刻机是产制半导体必备设备，各大厂商近年纷纷投入EUV(极紫外光)相关技术研发。(达志影像shutterstock)

据韩国《BusinessKorea》报导，以三星为首韩国企业在晶圆先进制程虽暂时不如台积电受肯定，但在先进制程必备技术EUV(极紫外光)曝光方面已经后来居上，三星各种专利申请量都领先台积电。

该文并没有特别强调与台积电竞争，更着墨于韩国自身EUV曝光技术进入成长阶段。韩国特许厅(특허청 ，专利及智慧财产权管理机构)的专利申请数量，韩企已连2年提交数量超过国外公司，这在2018年前从未发生。

EUV技术包含多项关键，例如多层反射镜、多层光罩、防护膜、光源等，近期EUV已经被晶圆代工业用来生产5奈米制程晶片。近10年来吸引国际各大半导体商争相投入研发。

据报导，近10年来6家针对EUV关键技术发展的企业所申请专利量就达全球，分别是卡尔蔡司(德国)18%、三星15%、ASML(荷兰)11%、S&S Tech(韩国)8%、台积电6%、SK海力士1%。

若以技术区分，处理技术专利申请量约占32%，曝光设备技术占31%、光罩技术占28%，光罩占9%。EUV用于制程领域可见三星、台积电优势，因为2大龙头合计占比超过50%，分别是三星39%、台积电15%。另外在台积电相对空白的光罩领域，三星也占9%，次于专做光罩的S&S Tech、Hoya(日本)、汉阳大学。

不过该文并未指出的是，虽然EUV光刻机曝光技术研发和专利申请各大厂商都投入，但能制造用于生产的EUV光刻机仍然仅限于ASML。