台湾创「多重鳍高电晶体」 多塞2千万颗晶片还更省电
半导体界的战争日新月异，制程也逐渐从传统平面式转为立体。继国际大厂推出弯曲式「鳍式场效电晶体」后，国研院也选在3日发表领先全球的制程技术，做出弹性更高、体积更小的「多重鳍高电晶体」，大幅提升国内半导体厂商的国际竞争力。
▲国研院研发出弹性更高、体积更小的「多重鳍高电晶体」。(图／取自http://ssttpro.acesuppliers.com/)
奈米元件实验室表示，「鳍式场效电晶体」(FinFET) 因为形状有如鱼鳍而得名，除了体积小较为省电，还可扩充晶片上可容纳的电子元件密度，并让不同大小的电流「各住适合的房型」，达到晶片空间利用的最佳化，借此提升运作效能。
国研院指出，半导体积体电路的制造，可说是一场尺寸微缩与效能提升的竞赛，半导体元件最先进的制程技术，约可在1平方公分的矽晶片上，容纳约1亿颗电晶体；「鳍式场效电晶体」技术一旦推出，不只让设计更具弹性，还可在同样面积增加约2千万颗电晶体，等于节省了两成的制作成本。
国研院还说，此技术已经申请专利，且自12月起，将为国内学术界开放制作平台，方便其研发各种元件雏型与制程技术，让学术前瞻研究与产业接轨；预估在5年内，就能协助业界量产「多重鳍高的鳍式场效电晶体」。