外资力挺华邦电 认购权证飙72%
▲记忆体厂华邦电第1季税后净利3.97亿元，为14季来新高，同时，看好今年DRAM及NOR Flash市场需求，今年资本支出将达106亿元，较去年大增逾4倍，外资也同步看好积极买超。
记忆体厂华邦电(2344) 公布2014年第一季合并财务报告，第1季税后净利3.97亿元，为14季来新高，而每股纯益为0.1元，仍低于市场预期，但在外资力挺之下，今(30)日开盘攻上涨停，虽盘中打开涨停，但股价在早盘最高达9.07元，同时，其权证市场中也有标的进入涨停，其中最高涨幅为72.7%。
昨日华邦电登上外资买超前三名，买超张数有19,829张。主要是因为外资看好华邦电坐拥利基型DRAM需求劲扬，及物联网商机涌现等二大营运优势，同时也预估，今年每股盈余将较去年成长13倍至0.8元，2015年再大增五成至1.21元，确定走出营运低潮。
因此，华邦电今日开盘股价冲进涨停，权证市场也相对强势，而根据权证王APP资料显示，目前连结华邦电的相关权证有43笔，其中今日早盘涨幅前3名依序为2R永丰、日盛39、BD富邦，其中2R永丰涨幅更超过72%，前10名皆上涨超过50%。至于成交量部分，则以元富C5交投最热。
华邦电第一季合并营业收入含新唐科技等子公司约为87亿5千1百万元，较前一季增加5%；营业毛利率为26%，税后纯益约为新台币3亿9千7百万元，每股纯益为新台币0.10元。看好今年DRAM及NOR Flash市场需求，今年资本支出将达106亿元，较去年大增逾4倍。
而就记忆体事业群部份，华邦电今年第一季各产品线占营收比例，利基型记忆体(Specialty DRAM)占本季营收52%，营收较前一季增加6%，主因为网通、硬碟应用产品出货增加，且产品均价随着记忆体市况趋健康而小幅上扬。
至于行动记忆体(Mobile DRAM)则占本季营收12%，营收较前一季增加17%，成长动能来自46nm产品营收贡献以及512Mb及1Gb Low Power DDR1出货增加。快闪记忆体(Flash Memory)占本季营收36%，市场价格竞争状况持续但已减缓，且较高密度产品需求增加，营收表现和前一季持平。
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