《半导体》爱普联手新思 端新IoT RAM解决方案

爱普产品线包括超低功耗(ultra-low power)及低引脚数(low pin count)的虚拟静态随机存取记忆体(PSRAM)(IoT RAM)以及低密度(low density)的低功耗动态随机存取记忆体(LPDRAM)。近期，爱普更在AI边缘运算及物联网应用领域中，成为新兴供应商并提供市场相关之记忆体解决方案。

新思科技的DesignWare IP产品组合，可支援应用于IoT及移动装置等应用之记忆体，使其具高频宽、低迟延之优良效能。爱普与新思科技将于未来之合作中持续优化设计，提供市场更低耗能、低引脚数的记忆体解决方案，例如1.2V I/O IoT RAM以及AIoT RAM。针对AI边缘运算场景及应用，爱普的AIoT RAM可支援IoT RAM的低引脚数规格，并具备高频宽及低功率等优点。

爱普表示，建立在PSRAM产品之各种优势特征上，爱普的IoT RAM产品亦具备了低引脚数、低功耗以及高频宽等各种规格之选择，可满足物联网和移动装置对功耗和晶片大小的限制。新思科技的DesignWare SSI IP将使设计者与开发者可最大化地发挥爱普IoT RAM产品线的最大潜力。

爱普副总经理及IoT事业部总经理洪志勋表示，双方都将加速在IoT终端应用的开发，并实现最佳的扩展记忆体方案(extended memory solution)，满足最终端处应用场景中的各种体验。

新思科技IP市场与策略资深副总John Koeter也提到，新思科技与爱普的紧密合作，能提供双方的客户更全面的记忆体解决方案，以符合在IoT设计上对低功耗及高性能的要求。这个具互通性(interoperability)的解决方案将可使系统单晶片(SoC)的设计者能加速上市时程，并降低在使用及整合高效率及高性能记忆体于系统单晶片(SoC)时的风险。