高通:搭载10nm骁龙835的大批旗舰机即将面世

本站科技讯3月22日消息高通首款10nm移动平台骁龙835在今天实现了亚洲首秀。这款应用于旗舰机型芯片备受业界关注,高通讲述了该芯片在续航、沉浸式体验、拍摄、连接以及安全等方面性能参数。高通方面表示即将有搭载该芯片的手机面世

高通副总裁兼QCT中国区总裁Sanjay Mehta(武商杰)认为,未来智能手机仍然有很大的发展空间,2016年-2020年智能手机累计出货量预期将超过83亿台。而高通帮助了更多中国厂商走向了全球

武商杰透露,目前已经有超过200款终端设计采用或者正在开发使用高通骁龙820/821芯片,并成为了智能手机旗舰终端的选择。

今天高通发布的骁龙835则是首款10nm工艺制程的移动平台,有超过30亿个晶体管,在CPU性能方面,比骁龙821最能性能提升了20%。

之前制程工艺更多是由PC芯片来引领发展,随着智能手机的发展,移动芯片的制程工艺开始引领发展。高通产品市场高级总监张云表示,制程工艺不断演进的动力来自希望更小的尺寸来集成更多特性,适用更薄的手机,更大电池容量,实现更功耗

高通骁龙835在视觉处理和安全、音频等等方面实现了提升。另外,高通特意提到了随着835芯片的推出,高通还推出了快充第四代:高通Quick Charge4,可以实现充电15分钟充电量50%。具体的一些参数之前CES首秀的时候已经公布。

骁龙835芯片亚洲首秀的今天也是京东与高通“骁龙专列”合作一周年。京东胡胜利透露一大批打在骁龙835芯片的手机将会在京东上面世。之前有传.三星Galaxy S8、小米6、LG、诺基亚等手机厂商有意搭载该芯片。在高通骁龙835首秀的同时,小米官方微博也转发了高通该芯片的微博,并附上了“强者先行字样,暗示了小米新机将搭载该芯片。(静静

官方中文规格表:

工艺尺寸:骁龙835采用10nm FinFET制程,三星代工,尺寸减小35%,功耗降低25%。

CPU:采用八核Kryo 280自研核心,主频最高2.45GHz(早先资料称,小核是1.9GHz,待官方确认),这比骁龙821的2.35GHz提升了4%(小核提升了18%),最终性能提升20%。

GPU:Adreno 540,图形速度提升25%,色彩提升60倍。支持4K屏(60FPS)、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C视频传输

基带:X16调制解调器,全球首款千兆LTE基带,4载波聚合、7模全网通

充电:QC4.0技术,15分钟可充50%的电,速度提升20%。

内存:LPDDR4X双通道、UFS 2.1、SD3.0(UHS-1)

连接性:802.11ad(60GHz)、802.11ac(2x2 MU-MIMO)、蓝牙5.0

定位:支持GPS、格洛纳斯、北斗伽利略

ISP:高通Spectra 180,双14位ISP、最高支持双1600万/单3200万镜头,可录制HDR视频。

DSP:Hexagon 682,集成向量扩展,支持TensorFlow和Halide

视频:最高4K 30FPS拍摄、4K 60FPS播放,可解码H.264/265/VP9。

音频:Aqstic音频编解码器,支持原生DSD、123dB高信噪比