家登H1获利新高 H2逐季增

家登公告第二季合并营收月增4.0％达10.66亿元，较去年同期成长76.3％，平均毛利率季增3.2个百分点达49.7％，较去年同期提升12.8％，营业利益2.41亿元约与上季持平，较去年同期成长近3倍，归属母公司税后净利季增46.2％达2.84亿元，较去年同期成长逾5.3倍，每股净利3.39元，创下季度获利历史次高纪录。

家登公告上半年合并营收20.91亿元，较去年同期成长67.4％，平均毛利率年增13.2个百分达48.1％，营业利益达4.82亿元，较去年同期成长逾3.4倍，归属母公司税后净利4.78亿元，与去年同期相较成长逾5.4倍，每股净利5.71元，为历年新高，并赚赢去年全年。

虽然微影设备大厂艾司摩尔（ASML）受到零组件供不应求影响，但已启动快速交货机制，而全球前五大半导体厂更是积极建置支援EUV技术的逻辑或DRAM先进制程产能。家登指出，随着先进制程推进，EUV光罩层数大幅增加，5奈米约达14～17层，3奈米达21～24层，在3奈米制程下半年进入量产后，EUV Pod需求将会明显增加，有助增添下半年成长动能。

再者，美中贸易战让中国半导体厂转单效应发酵，家登原本准备的生产基地正好补足陆厂相关需求，使FOUP成为今年最大成长动能，随着中国大陆客户包下七成产能，以及打进台湾晶圆代工大厂供应链，订单能见度已直达明年下半年。家登强调，目前客户订单需求未见调整迹象，下半年营运续强且表现可期。