力旺携联电 强攻车用市场

力旺季度业绩

矽智财厂力旺电子（3529）与联电（2303）宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，未来可望应用在AIoT及行动通讯应用等终端使用的嵌入式记忆体解决方案，且力旺更指出，后续将持续扩大与联电开发车用规格的RRAM，强化力旺在车用电子市场布局。

力旺提供的8Mb RRAM矽智财具有额外的16Kb资讯储存区块和内部修复与错误侦测／修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智慧电源管理IC的编码储存，还可以支援人工智慧之记忆体内运算架构。联电提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

力旺技术长暨第二事业群总经理林庆源表示，对40奈米、22奈米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式记忆体选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22奈米0.8V／2.5V平台实现更高的储存密度、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。

力旺指出，RRAM IP具有一万次覆写能力和长达十年的数据保留，并可承受高达105度的高温。为了方便用户，这款RRAM IP设计具备友善的介面、完整的使用者模式和测试模式，并可在0.8V／2.5V标称双电压接口下进行编程。在对性能要求相对严格的汽车应用中，RRAM与MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

事实上，力旺在嵌入式非挥发性记忆体矽智财领域具有市场领先地位，且获得台积电、联电、世界先进等晶圆代工大厂导入，在力旺推出该款新产品后，后续有机会扩大导入到欧美等各大终端品牌供应链。

力旺2月营收达2.13亿元、年减9.7％，累计今年前两月合并营收为6.08亿元、年减9.3％，写下历史同期次高。