力旺NeoFuse矽智财导入联电28奈米HV制程 抢攻OLED市场
联电今（20）日表示，力旺电子一次可编程（OTP）记忆体矽智财NeoFuse已成功导入联电28奈米高压（HV）制程，强攻有机发光二极（OLED）市场，关键客户已经完成设计定案（Tape Out）并准备量产。
力旺业务发展中心副总何明洲表示，非常开心与联电在28奈米高压制程的合作，因应OLED市场的需求，为客户带来最大的价值。
联电矽智财研发暨设计支援处林子惠处长表示，力旺NeoFuse矽智财使我们的客户得以客制化IC以符合OLED市场的高规需求。不管是之前的55奈米、40奈米到现在的28奈米高压制程，联电与力旺的合作成果都是非常正面的。
高阶手机配备OLED显示器已然成为趋势，对小尺寸显示器驱动晶片（SDDI）效能要求亦更高，这样的需求也显示在制程平台的选择上，OLED关键客户逐渐从55奈米或40奈米往更先进的28奈米高压制程靠拢。
28奈米高压制程可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥最大功能，提供OLED显示器驱动晶片更快的资料存取速度，更高容量的静态随机存取记忆体（SRAM）及更好的功耗，同时达到高画质与省电的的目的。
联电在2019年的SDDI量产晶圆出货量为全球之冠，其28奈米后闸式（Gate-Last） HKMG制程具备优越管理漏电功耗与动态功率表现，可以提升行动装置的电池寿命，以此为基础，其28奈米高压制程提供业界最小的SRAM记忆单位（Bit-cell）以减少晶片整体面积。
力旺是世界领导之逻辑非挥发性记忆体矽智财厂商，其NeoFuse矽智财为各种类型之应用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解决方案，已经广泛布建于世界各大晶圆厂，从0.15um制程至先进制程节点均已布建。