《半导体》旺宏19奈米SLC NAND量产，首攻美国机上盒市场
旺宏(2337)19奈米SLC NAND Flash已正式量产出货，首批产品主要供应美国机上盒（STB）大厂客户，将逐步贡献营收；此外，3D NAND Flash进行研发中，预计2021年量产。
旺宏董事长吴敏求今日表示，随着系统趋于复杂，机上盒需要高密度记忆体，但若采用编码型快闪记忆体（NOR Flash）价格昂贵，旺宏最新技术19奈米储存型快闪记忆体（SLC NAND Flash）顺利获美国STB客户采用，且量还不少。吴敏求说，首批供应STB运用的19奈米SLC NAND Flash是4GB产品，未来19奈米SLC NAND Flash将逐步扩及工业等应用领域。在3D NAND Flash研发方面，吴敏求指出，预计2年后完成产品开发。
旺宏去年以来投入之资本支出主要用于提升制程，规画将NAND Flash的12吋制程技术，由36奈米全面提升至19奈米，以及3D NAND Flash研发。19奈米SLC NAND Flash首批产品已顺利出货予美国机上盒（STB）大厂客户，预计第3季起量产并贡献营收。