SLC NAND喊涨 华邦电旺宏晶豪科吃香
国际记忆体大厂全力扩建3D NAND产能，但在SLC NAND的供给策略已有所变化，据通路业者消息，全球记忆体大厂三星及美光相继淡出4Gb以下低容量SLC NAND市场，价格因供货量减少可望在今年底或明年初率先调涨。
由于包括工控及安控、物联网、穿戴装置等SLC NAND需求强劲，相关订单除了转向SK海力士，法人也看好华邦电（2344）、旺宏（2337）、晶豪科（3006）喜迎转单直接受惠。
三星、铠侠、美光、SK海力士等国际记忆体大厂积极扩建3D NAND产能，至于原本用于生产低容量SLC/MLC NAND Flash的产能，因为量产规模不若以往，基于成本上的考量，业界传出三星及美光相继淡出4Gb以下低容量SLC NAND市场消息。
过去SLC NAND多应用在需要极高可靠性及稳定性的车用或工控等装置中，但随着MLC NAND可靠性提升，中高容量SLC NAND市场逐步被MLC NAND取代，所以业者将低容量SLC NAND调整支援SPI（序列周边）介面，以解决NOR Flash容量提升后的高制程成本问题。
事实上，NOR Flash是现阶段最普及的SPI介面快闪记忆体，但容量提升到512Mb或1Gb以上，单位制造成本大幅提升，但制程微缩到40奈米以下也遇到很大的制造难题。因此，包括三星、华邦电、旺宏等记忆体厂均推出SPI介面低容量SLC NAND，提供系统厂高容量且低成本解决方案，也解决了NOR Flash容量愈高、成本愈高的营运难题。
SLC NAND仍被大量应用在工控及安控、物联网、穿戴装置等市场，如今三星传出逐步淡出，美光也减少供给量，但市场需求仍维持稳定成长，所以系统厂陆续将订单转至仍在生产SLC NAND的记忆体厂如SK海力士，至于在SPI介面SLC NAND多年布局的华邦电、旺宏、晶豪科等也同步受惠。
华邦电11月合并营收年增64.5％达66.75亿元，旺宏11月合并营收年减7.5％达30.10亿元，晶豪科11月合并营收年增46.5％达14.84亿元，表现均优于市场预期。业界认为，中低容量SLC NAND市场的位元供给明年将因大厂淡出而明显降低，在供给减少及需求增加情况下，价格最快可在今年底或明年初出现反弹走势，对业者来说亦可带来正面的营运助益。