力旺NeoMTP矽智财 台积制程验证成功

嵌入式非挥发性记忆体矽智财（eNVM IP）厂力旺（3529）宣布，其嵌入式可多次编写（MTP）记忆体矽智财NeoMTP已成功于台积电第三代0.18微米BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）类比IC制程完成验证，提供物联网（IoT）电源管理IC客户具成本优势的矽智财解决方案。

力旺表示，NeoMTP已广泛被USB Type-C与无线充电等电源管理晶片的客户所采用，这次与台积电在0.18微米第三代BCD制程合作的解决方案，具备更高整合性、更微小化、更低功耗等优异特征。

无线充电已成为行动装置与IoT相关应用的基本配备，因此，市场对于整合微控制器（MCU）以及功率元件的系统单晶片（SOC）的需求也逐步提升，同时，记忆体也被整合进SoC中做程式码储存功能，力旺的NeoMTP矽智财是此种设计的最佳解决方案。

与传统的OTP或外挂式EEPROME相比，使用嵌入式MTP无线充电控制器不仅提供更弹性的可编程性效能，同时更减少设计冗余。力旺业务发展中心副总经理何明洲表示，力旺的矽智财产品在电源管理IC领域向来是极佳的选择，力旺布建于台积电0.18微米第三代BCD制程的NeoMTP可使设计者在快速成长的电源管理IC市场取得先机。

力旺表示，已成功布建其eNVM IP解决方案于台积电的BCD制程，瞄准电源管理等相关应用。力旺的NeoBit在2017年完成台积电0.18微米第三代BCD制程验证后，已有非常好的量产成果。而NeoMTP除了在0.18微米第三代BCD制程完成验证外，在90奈米BCD制程合作案也正在进行，预计不久将来亦可完成验证。