茂矽朋程第五代IGBT明年首季投产
功率元件晶圆代工厂茂矽（2342）17日召开股东常会并完成董事改选，大股东朋程（8255）取得二席董事，双方在绝缘闸双极电晶体（IGBT）成绩逐渐显现，除了打进车用及消费性电子市场，也将推出第五代IGBT布局1,200V以上高电压工业功率元件市场，明年第一季将开始生产。
再者，茂矽也与国际IDM厂合作开发手机金氧半场效电晶体（MOSFET）并已小量出货，打进大陆Android手机大厂供应链。
朋程于2017年透过茂矽私募增资入股，双方决定合作研发车用相关产品，朋程2018年再增加茂矽持股，持股比重达18％成为最大法人股东。茂矽17日股东会完成新任董事改选，朋程取得二席董事，二极体厂强茂取得一席董事，茂矽前董事长胡洪九之子胡恩瑞则退出董事会。
茂矽第一季合并营收3.97亿元，毛利率回升至15.8％，代表本业的营业利益由亏转盈达0.11亿元，但提列业外损失后季度亏损1.06亿元，每股净损0.69元。茂矽第二季以来受惠于医疗及笔电等相关MOSFET晶圆代工急单涌入，5月合并营收1.70亿元较去年同成长92.7％，前五个月合并营收7.30亿元，较去年同期成长35.4％。
茂矽董事长唐亦仙表示，第二季急单推升产能利用率达满载，季度本业获利将创近二年来同期最佳，下半年随着各地重启经济及客户重启下单，车用需求应可看到报复性反弹，只是笔电及医疗等急单告一段落，下半年营收表现将略低于上半年。整体来看，下半年展望仍中性偏热观，看来没有想像中差。
茂矽与朋程在车用IGBT市场合作，效益将会在明年逐步显现，车用中高阶产品报价高且利润佳，对茂矽营运有很大助益。茂矽也投入高电压大电流产品，下半年将展开第五代IGBT产能建置，主要生产应用于工业及家电的1,200V以上IGBT，明年第一季开始投产。
此外，唐亦仙表示，茂矽与国际IDM厂合作开发手机MOSFET有成，今年开始小量交货，并已切入Android手机供应链，未来随着客户的手机市场占有率提升，有助于茂矽后续营运表现。茂矽的手机MOSFET采用共源极（common source）技术进行桥接，应用在手机内控开关。