美参院投票通过《创新与竞争法案》 逾5兆元投入半导体等技术研制
▲拜登寄望在半导体的研制上能掌握关键先进技术，以抗衡中国的扩张。（图／路透）
美国参议院于美东时间周二（8日）表决，以68票对32票，通过金额超过2000亿美元的《美国创新与竞争法案》，以加速美国的半导体、量子科学以及高端先进技术的革新，抗衡中国近年崛起的经济和军事扩张。
根据路透社报导，这项汇聚两党共识的法案估计授权1900亿美元（约新台币5.24兆元），提供美国加强科技和科学研究的项目，另外会单独通过520亿美元（约新台币1.44兆元）的投资，投入半导体和通讯设备的研制。参议院通过该法案后，众议院也必须通过才会递交给总统拜登签署法案。
这项法案主要分为4点，包括投入520亿美元支持全国半导体研发制造，在本土进行零组件生产；在2022经济年度至2026经济年度间，授权810亿美元（约新台币2.24兆元）给国家科学基金会，用于人工智慧、量子科学等领域进行研发；授权169亿美元（约新台币4685亿元）供能源部进行能源产业链关键科技领域相关的研发；还有禁止美国外交官参与2022年的北京冬季奥运。
此前民主党籍参议院多数党领袖舒默（Chuck Schumer）表示，中国共产党在在半导体生产方面的投资相当积极，投入了1500亿美元（约新台币4.14兆元）进行研发制造，企图控制先进技术。而舒默和其他参议员们皆希望《美国创新与竞争法案》能让不只美国本土的晶片制造上，就连外国的晶片制造商都能在美国进行该领域最先进技术的研制，目前全球半导体制造掌握最先进技术的就是南韩三星和台湾台积电。