涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子工程師被捕

DRAM示意图。图／ingimage

韩国警方今天表示，1名前三星电子工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国成都高真科技（CHJS）泄漏20奈米DRAM记忆体晶片技术，遭逮捕并移送检方。

韩联社报导，首尔警察厅产业技术安全侦查队今天指出，64岁前三星电子（Samsung Electronics）工程师因涉嫌违反「职业安定法」被捕，并移送首尔中央地方检察厅。

据报导，该男曾以顾问身分参与创立成都高真公司，同时期还在韩国成立猎头公司，以至少2至3倍的优渥薪资挖角三星电子核心技术人才，协助在中国「复刻」动态随机存取记忆体（DRAM）工厂，并于2022年4月成功生产半导体晶圆。

这座DRAM工厂从完工到投产仅费时1年3个月。一般来说，晶圆从测试到量产通常需要4至5年。

韩国警方提到，外流技术的经济价值高达4兆3000亿韩元（约新台币998亿元），若考虑相关经济效益，实际损失规模更加庞大。

除了这名前工程师，还有以相同手法挖角韩国半导体人才的2位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已替成都高真挖角逾30名技术人员。

尽管韩国国家关键技术外流，警方只能根据刑责较轻的「职业安定法」、而非「产业技术保护法」来逮捕涉案嫌犯。

警方解释，根据现行法规，以「挖角」方式外流技术的行为不属于「产业技术保护法」规定的惩处范围，因此有必要针对相关法律进行修法，以严惩商业间谍。

报导指，包括前三星电子工程师在内，成都高真技术外泄案共有21人遭移送法办。

成都高真创办人、前三星电子常务兼前SK海力士（SK Hynix）副社长崔珍奭等人则已被捕，他们涉嫌违反「产业技术保护法」及「防止不正当竞争及商业秘密保护法」。