台积研发成果 首登自然期刊

台积电与交大合作研究合成半导体新材料单晶的氮化硼技术有所突破，开发出全球最薄的二维半导体材料绝缘层，可望进一步开发出2奈米甚至1奈米的电晶体通道，有助缩小晶片尺寸。这项研究也让台积电首度登上全球知名的学术期刊《自然》（Nature）。

在科技部推动「尖端晶体材料开发及制作计划」协助下，台积电与交大合组研究团队，进行单原子层氮化硼的合成技术等研究，近期有重大突破，成功开发出「大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼」的成长技术，未来将有机会应用在先进逻辑制程技术，研究成果已经刊登在《自然》期刊。

科技部指出，为提升半导体矽晶片的效能，积体电路中的电晶体尺寸不断地微缩，目前即将达到传统半导体材料的物理极限，因此全球科学家不断地探索新的材料，以解决电晶体微缩所面临的瓶颈。

目前台积电正在推动3奈米量产计划，指的就是电晶体通道尺寸，通道做的越小，电晶体尺寸就能越小，在不断微缩的过程，电子会越来越难传输，导致电晶体无法有效工作，目前台积电与交大联手开发的二维原子层半导体材料，是科学界认为，最能解决电晶体微缩瓶颈的方案之一。