对干英特尔后 台积电下周就等1件事开奖
上周五台积电ADR大涨5.51%，跳空站上季线压力，收124.8美元，在三月十七日除息2.5元下跌，贴息的保守气氛始终围绕在多头心头。后来又遇到英特尔宣布扩大晶圆代工的IDM 2.0计划，以及台积电与宏碁示警重复下单的利空，虽然还不知道汽车晶片插队会不会影响毛利率，但可以说，从一月二十一日的679元高点拉回的中期整理，在三月二十五日跌破季线(ADR跌到半年线)，已经触底了。
四月六日台积电终于填息，率领加权指数大涨168点再创新高，台积电这次花了十三天才填息。接下来多头将聚焦四月十五日法说会，重点关注今年会不会提高现金股息。台积电去年每季配发2.5元现金股息，一年共配发十元现金，以四月一日收盘价602元计，殖利率约1.66%，大约等于美国十年期公债殖利率，在当前华尔街高度预期十年期美债殖利率将挑战2%，台积电的产能利用率持续维持扩产后的满载，自然预期今年业绩进一步成长，进而提高现金股利。
上一季法说会台积电调高今年资本支出将达250~280亿美元，相当于年增45~62%，创史上新高，其中80%将用于三奈米、五奈米及七奈米等先进制程。当时外资调高目标价到780元，多头信心受到鼓舞，可以说看不到一片乌云。
近期业界流传一封台积电总裁魏哲家写给部分IC设计客户的信，提到台积电过去十二个月增加产能，产能利用率依然超过100%，无法满足需求，台积电计划自2021年12月31日起暂停晶圆降价，为期四季。并预计在接下来三年投入一千亿美元(即每年超过333亿美元)增加产能，此时抛出「三年千亿美元」的论调无疑是对竞争对手(英特尔)大肆投资的直接回应。
今年三月喜迎元老基辛格回归的英特尔宣布投资二百亿美元在亚利桑那州新建两座晶圆厂，并切入代工业务直接与台积电等竞争；三星电子也已经宣布未来十年在半导体业务上砸下一千亿美元。
台积电成为台湾股民最爱
台积电的股东人数已经超越中钢，为台股第一，但股民的持仓信心甚强，原因无他，就因为先进制程狠甩对手。独步全球的三奈米原预计今年下半年进行风险性试产，并于2022年下半年量产；但近日供应链传出，台积电三奈米制程已提前于三月开始风险性试产，并小量交货，进度优于原先预期，意即三奈米量产时程可望较原先预计的2022年下半年提前。
由于台积电七、五、三奈米沿用鳍式场效电晶体(FinFET)技术，但三星在三奈米采用更先进的环绕闸极(GAA)技术，所以还没看到最终产品，还不知道谁家的三奈米产品更胜一筹，局势虽对台积电乐观，但还谈不上绝对压倒性的领先，对手仍有弯道超车的机会，关键就是谁能领先量产二奈米制程。
依照目前的模式，三奈米以下的制程不太可能再把电晶体等元件蚀刻在矽基材上，因为摩尔定律(运算能力每两年增加一倍)的步调已经放缓，甚至可能很快就到达极限。
先进制程技术已遥遥领先
台积电预计在二奈米制程切入GAA技术，正式进入另一个全新的制程技术领域，一旦台积电真在2023~2024年间量产GAA技术的二奈米制程，则三星想在三奈米制程弯道超车的状况，将会难上加难。
但是最先进的制程已经逼近物理极限，顶到了天花板，可能难再有发展的余地，在这样的情况下，目前全球都在寻找新型半导体材料或者下一代晶片来替代，或者至少把新材料与矽结合，以大幅提升性能。
最先进物理、化学和工程领域的研究人员，正在尝试使用一些奇特的物质来制造微晶片，包括石墨烯、黑磷、过渡金属硫化物(transition metal dichalcogenides)、氮化硼奈米片(boron nitride nanosheets)。
未来十年台积电仍是龙头
中国因为受制于买不到EUV曝光机，而且EUV核心元件不只十万个，据说美国科学家仅研究其中一个零件就花了十年时间，所以中国在美国的半导体禁令下想实现「去美化」，基本上没有十年以上是不可能的，因此中国的研究是朝绕开EUV曝光机的方向发展。
而就在最近中国科研科学院已经成功研发出光量子晶片，光量子晶片是由光做载体，操控精度更准确，稳定性高，不易受外界干扰，而且存储的资讯保存时间长，缺点就是光量子本身的温度接近绝对零度，也就是在零下273.15度才能正常工作，另外光的极易消耗性也是问题，距离大量生产还有不少技术限制。在可预见的十年内，台积电仍可维持领先地位。
本文作者:洪宝山
(本文摘自《理财周刊1076期》)
《理财周刊1076期》