台积资本支出冲上280亿美元
台积电14日宣布2021年资本支出将提升至250～280亿美元，远远超越法人预期的200～220亿美元，不仅创下历史新高，同时改写台湾科技业单一厂商年度资本支出的新高纪录。台积电总裁魏哲家强调，高资本支出主要是看好未来几年包括5G及高效能运算（HPC）的大趋势（mega trend）将带动先进制程强劲需求。
台积ADR周四早盘飙升逾6％，报126.66美元，再创新高价。
虽然法人认为，台积电资本支出大幅提升应与未来承接英特尔处理器的晶圆代工订单有关，不过台积电对此不予评论，并说明资本支出大幅提升是基于对未来数年成长的预期所规划。
台积电看好未来先进制程的强劲需求，大举提高2021年资本支出至250～280亿美元之间（折合新台币7,000～7,840亿元），与2020年相较成长45.0～62.4％。台积电财务长黄仁昭表示，整体支出的八成将应用在7奈米、5奈米、3奈米等先进制程，一成应用在先进封装以及光罩制造，一成应用在成熟制程。
台积电总裁魏哲家强调，高资本支出主要是看好未来几年包括5G及高效能运算（HPC）的大趋势将带动先进制程强劲需求。其中，台积电为了维持产业领先地位，会持续扩建极紫外光（EUV）先进制程产能。台积电3奈米预期2021年风险试产，2022年下半年进入量产，有信心3奈米技术会成为台积电另一重要且持久的技术节点。
台积电的3DFabric先进封装持续推进，并看好小晶片（chiplet）架构带来的新成长动能。台积电已量产CoWoS及InFO等先进封装，晶片或晶圆堆叠的SoIC技术预计在2022年小量量产，由于HPC运算在频宽效能、功耗表现等要求高，预期未来几年来自后段先进封测业务的成长幅度，将稍微超过公司的整体平均。
有关台积电的海外投资布局，台积电董事长刘德音表示，美国亚利桑那州厂现阶段以月产能2万片为目标，未来也不排除进行下阶段扩产计划，而南京厂原本就有逐步扩充产能规画，但还没有具体时间表。至于日前传出台积电可能赴日本设厂，刘德音回应，台积电只有评估在日本设立材料研发中心，与供应链伙伴共同发展3D IC材料，但未做出最终投资决定。
设备业界推估，台积电2021年资本支出大幅拉高，年底EUV机台总数可望上看70台，并拥有全球最大EUV产能。台积电全力冲刺先进制程产能建置及技术研发，包括家登、汉唐、京鼎、帆宣、弘塑、信纮科、意德士、宜特、闳康等台积电大联盟合作伙伴直接受惠，法人亦看好台积电资本支出概念股2021年营运看旺。