業界首推！聯電端55奈米 RFSOI 製程3DIC 解決方案

联电（2303）2日宣布，推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的矽堆叠技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将晶片尺寸缩小45％以上，使客户能够有效率地整合更多射频元件，以满足5G更大的频宽需求。

RFSOI是用于低杂讯放大器、开关和天线调谐器等射频晶片的晶圆制程。随着新一代智慧手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了晶片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆叠晶片来减少面积，以解决在装置中为整合更多射频前端模组带来的挑战。该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。

联电技术开发处执行处长马瑞吉（Raj Verma）表示，我们很高兴领先业界，以创新射频前端模组的3D IC技术为客户打造最先进的解决方案。这项突破性技术不仅解决了5G/6G智慧手机频段需求增加所带来的挑战，更有助于在行动、物联网和虚拟实境的装置中，透过同时容纳更多频段来实现更快的资料传输。未来我们将持续开发如5G毫米波晶片堆叠技术的解决方案，以满足客户对射频晶片的需求。

联电拥有业界最完整的射频前端模组晶片解决方案，提供包括行动装置、Wi-Fi、汽车、物联网和卫星通讯等广泛应用的需求。RFSOI解决方案系列从130到40奈米的制程技术，以8吋和12吋晶圆生产，目前已完成超500个产品设计定案，出货量更高达380多亿颗。

除了RFSOI技术外，联电的6吋晶圆厂联颖光电还提供化合物半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN），以及射频滤波器（RF filters）技术，可充分满足市场对射频前端模组应用的各种需求。