《半导体》ADR重挫压垮法说利多 联电走弱

联电(2303)去年获利创14年新高，每股纯益2.42元；联电今年第1季持续乐观，产能利用率将达100%，营收可望再挑战新高。但美股周三大跌，联电美国存托凭证（ADR）跌6.96%，联电今跳空开低3.6元为51.2元，跌幅6.57%，随后跌幅略收敛至约为5%。

联电法说会释利多，但联电ADR收9.23美元，跌0.69美元，跌幅6.96%，换算每股为台币52.39元。联电周三收在54.8元。

联电去年归属母公司净利291.89亿元，创14年新高，每股纯益2.42元；联电今年第1季接单持续畅旺，本季营收将再创新高。

联电对于今年晶圆需求展望乐观，随着全年晶圆代工产能预估持续紧俏，联电接单将持续强劲，并将持续受惠涨价效益，加上28奈米占比持续提升，毛利率也将优于去年，营收将再创新高，本业获利增幅可望更为强劲。

公司指出，稳定的需求将使今年第1季晶圆出货量及美元计价的平均售价都将进一步成长，预期出货量将季增2%，美元平均售价扬升约2%至3%，产能利用率将达100%，毛利率将攀高至25%。

联电共同总经理王石周三于法说会表示，去年美元营收成长26%，营业利益也大幅增加，显示8吋及12吋厂的高产能利用率及产品组合优化的成效，尤其强化12吋晶圆产品组合，使得28奈米制程业务大幅增长。

据联电统计，去年第4季28奈米制程比重攀高至18%，与65奈米同为比重最高的制程技术；去年度28奈米制程比重自2019年的11%攀升至14%。目前包括28奈米、40奈米等所有产能均满载，今年28奈米贡献将持续提升，营收占比可望进一步攀升至25%。

展望今年，联电共同总经理王石表示，晶圆代工价格仍有上涨空间，预估今年ASP将成长4-6%；对今年晶圆需求展望乐观看待，主要动能来自智慧型手机、远距应用及车用电子等，将带动产能利用率维持高档。

为满足强劲需求，联电今年资本支出将达15亿美元，较去年10亿美元大增50%。其中，85%的资本支出将投入12吋厂，15%的资本支出投入8吋厂。