《半导体》力积电切入CoWoS 看好2025年AI边缘端需求

力积电铜锣新厂今（2）日剪彩启用，黄崇仁会后受访时表示，力积电既有晶圆厂逻辑产线一部份是从DRAM产线改造，铜锣新厂为较纯粹的逻辑晶圆厂，随着公司切入CoWoS先进封装领域及3D堆叠技术，铜锣新厂对公司而言蛮重要的。

黄崇仁表示，全球晶圆厂中只有力积电同时拥有记忆体及逻辑制程，未来3D推叠技术整合逻辑晶片及记忆体，力积电在此部分的整合技术应属领先。铜锣厂区可分为二期开发，并将重新加速记忆体技术研发。

黄崇仁指出，高频宽记忆体（HBM）目前应用于伺服器端应用，力积电在边缘端应用国际大厂合作，希望透过记忆体堆叠技术来增加频宽加速，但成本较HBM便宜很多。目前已完成4层堆叠技术，并继续做8层堆叠技术研发，这点是力积电在全球较先进且独特的技术。

对于下半年展望看法，黄崇仁认为现在较麻烦的，是美国和中国大陆的经济都不是那么出色。目前美国经济状况还好、但只有AI及科技独强，中国大陆则都不太行，导致第二季市况复苏态势远不如预期快。

不过，黄崇仁认为包括手机、笔电、PC等部分AI应用的需求将先出现，由于目前相关边缘终端产品应用AI的速度不够快，需有AI加速器协助，预期在边缘应用端需求爆发下，2025年应该会是非常好的一年，力积电对此也已掌握商机。

由于AI发展对先进封装需求大增，台积电CoWoS先进封装因中介层及oS（On Substrate）产能均不足，导致供不应求。力积电透露，既有竹科厂已可生产中介层、铜锣新厂也会有相关业务，目前国际客户已进入验证阶段，预期下半年可正式量产、月产能可达数千片。