江苏芯德半导体取得一种含高中低密度芯片的封装结构专利，结合芯片埋入技术及 RDL 技术实现不同凸块密度的芯片互联

金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏芯德半导体科技有限公司取得一项名为“一种含高中低密度芯片的封装结构“，授权公告号 CN202323299000.X，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种含高中低密度芯片的封装结构，在基板内预埋有第二芯片，基板的背面贴装有第三芯片，第三芯片与基板之间填充有填充料三，重分布层贴装有第一芯片，第一芯片与重分布层之间具有填充料一，重分布层上设有塑封层，塑封层包裹第一芯片，塑封层内设有将重分布层和/或第一芯片的电路引出的铜柱，铜柱上植有焊球一，载有封装后的第一芯片的重分布层倒装于基板的正面，焊球一与基板连接，塑封层与基板之间填充有填充料二，重分布层的背面植有焊球二，第一、第二、第三芯片分别为高、中、低的凸块密度的芯片。本实用新型结合芯片埋入技术及 RDL 技术实现不同凸块密度的芯片互联，提供了一种性价比较高的含高中低密度芯片的封装结构。

本文源自金融界