英特尔IDM 2.0战略与区域竞合 开启晶圆制造竞争新局

伴随非记忆体类晶圆制造技术逐步推进到10奈米以下,台积电、三星电子、英特尔等已成少数竞争业者综合制造技术发展生产能力,目前台积电暂时领先,但三星、英特尔也各拥竞争优势。而英特尔抛出「IDM 2.0」战略,除加剧三者竞争态势,同时,半导体区域竞合也开启三者竞争新局

从先进制程来看,至2023年台积电将持续领先三星与英特尔,三星虽有意率先量产环绕式闸极场效电晶体(Gate-All-Around FET,GAAFET),但生产技术掌握度、材料设备配套完善度、客户采用意愿等,都是三星如期量产GAAFET的变数。至于先进封装部分,三家皆有2.5D封装量产经验,但英特尔3D先进封装已有量产经验,发展进程相对领先。

值得一提的是,英特尔「IDM 2.0」战略虽使台积电、三星及英特尔的竞争局势更趋复杂,然考量战略效益仍有疑虑,DIGITIMES Research分析师陈泽嘉预估,台积电可望延续竞争优势。另外,在区域竞合态势升温的背景下,欧、美等国有意加强半导体制造本土化政策,将成台积电、三星与英特尔在竞争优势维持与策略布局重点考量。