《半导体》福懋科瞄准凸块制程 后续研发3方向

福懋科去年12月营收6.70亿元，年减20.80%、月增3.14%，创下9个月新高点；去年第四季营收19.56亿元，年减21.75%，季减19.23%；去年全年营收76.48亿元，年减26.69%。

终端产品需求已逐步回升，产业记忆体产品高速及高容量持续发展，福懋科未来研发三大方向，其一因应产业技术发展，终端产品需求开始回升，已陆续量产覆晶封装记忆体产品，并着手开发复晶凸块(Bumping)及晶圆重新布线(RDL)等制程技术。

第二未来记忆体朝高速度及高容量趋势发展，2023年已完成DDR5 8Gb 10奈米级第一代制程封装测试开发，目前积极进行DDR5 16Gb 10奈米级第二代制程封装测试开发，以符合客户2024年的产品发展趋势。最后公司目前正积极进行3D TSV制程技术研发，包含晶圆背面凸块裸露(Reveal)及覆晶上片堆叠、封装技术，为未来记忆体高速度及高容量需求提前布局。

福懋科说明，去年前三季受通膨、美中竞争与俄乌战争影响，全球经济景气不振，记忆体厂调节产出，IC封测代工需求减少；而电竞模组产品需求平稳，伺服器模组需求放缓，公司因应客户交期需求规画产能并弹性调配人力，缩短交期以提高托工占比。去年第四季全球景气仍低迷，加上产业淡季，但记忆体市场在供应端减产效应下，库存水位逐渐去化，市场需求缓慢回温，供需状况可望逐渐改善。

受到记忆体厂持续调控产出，去年第四季短期急单增加，封测代工需求有升高趋势。目前库存水位逐渐下降，客户对PC、NB、行动装置、消费性电子产品的封测代工需求可望渐次恢复正常。网路通讯、工控与车用记忆体需求相对较稳定。模组方面，在云端资料中心与AI运算需求带动下，伺服器模组代工需求可望逐步改善。

展望今年，预计记忆体在车用、资料中心、AI、工控等领域的应用，将驱动记忆体产业保持成长动能整体来看，预估2024年供给持续保守，需求则可望回升，库存逐步去化下有助于供需恢复平衡，封测代工需求可望逐渐获得改善。福懋科也将持续发展覆晶技术、布局新世代DDR5产品。预期记忆体产业将持续发展与成长，福懋科新厂扩建依原定时程。