格芯携Arm推出高密度3D测试晶片　瞄准高端消费电子

▲格芯推高密度3D测试晶片，满足高端消费性电子应用需求。（图／达志影像）

记者周康玉／台北报导

晶圆代工厂格芯（Globalfoundries）今（12）日宣布携手Arm推出高密度3D测试晶片，此晶片采用格芯12奈米领先性能版本（12LP）FinFET制程，满足资料中心、边缘运算和高端消费性电子产品应用的需求。

这款高密度3D测试晶片已成功流片生产，实现更高水准AI/ML与高端消费者行动及无线解决方案等效能，显示Arm和格芯在研发差异化解决方案方面取得快速进展，提升可扩充高效能运算的装置密度和效能，从而实现可伸缩高性能运算。

此外，两公司还验证了一种3D可测试设计（Design-for-Test，DFT）方法，使用格芯的混合式晶圆对晶圆接合，每平方公厘多达100万个3D连接，拓展12奈米设计在未来的应用。

Arm研发部副总裁Eric Hennenhoefe表示，Arm的3D互连技术能使半导体产业强化摩尔定律，使运算应用更加多样化。格芯研发平台首席技术专家John Pellerin表示，先进封装比以往扮演更重要的角色，与Arm携手合作，提供先进的封装解决方案，进而整合针对SFF规格（Small Form Factor）的逻辑微缩、记忆体频宽和RF效能优化的各种节点技术，有助客户能更有效创建完备的差异化解决方案。