国研院半导体研究中心台南基地上梁 2020年启用
国研院台湾半导体研究中心台南基地今（16）日举行上梁典礼，与成功大学合作，培育硕博士级半导体高阶人才，预计2020年6月启用并试营运。
由于台积电将于南部科学工业园区建置全球第一个3奈米制程新厂，面对欧美日韩的强力竞争，台湾要在国际半导体领域持续保持领先地位，必须要有更多的高科技人才投入。国研院透过此研究中心的建立，与产业界合力发展3奈米以下世代的半导体制程相关技术、开发符合下世代人工智慧所需之低耗能感测器，并借此培育硕博士级半导体高阶人才。
此基地设置于成功大学力行校区，建筑总面积近千坪，一栋为地上4层、地下1层的半导体研究设施主体，另一栋为地上2层的绿色科技展示区。
半导体研究设施主体包含与业界生产研究环境接轨的200坪高规格半导体无尘室，以及35坪生医光电核心设施检测实验室，未来规划推动「前瞻低耗能快速感测晶片」、「下世代半导体制程」、「先进异质整合封装」及「先进微流体生医晶片」等技术服务平台。
国研院院长王永和表示，透过与成功大学合作，双方可以共同链结中南部产学研界研究能量与资源，进而创新产业。未来国研院台湾半导体研究中心会持续强化核心能量、深耕优势领域并结合在地特色，与中南部地区产学研单位共同研发跨领域的先进半导体技术。
▼成大副校长苏芳庆（中）与国研院院长王永和（右）。（图／国研院提供）