新闻分析－三星紧张为哪桩？

半导体微影设备大厂ASML搭上极紫外光（EUV）需求，2021年相关设备产能将上看45～50台。设备业者传出，台积电就抢下当中的30台，剩下的才由英特尔、东芝及SK海力士及三星等竞争对手分食，显示三星势必在2021年EUV设备数量上将抢输台积电，这也是三星高层为何少见亲自出访ASML的主要原因。

此外，在设备取得上三星为了追赶台积电，传出希望在次世代的高数值孔径（high-numerical aperture，High-Na）技术上提前卡位，确保未来1奈米、2奈米制程设备供给充足。

据了解，在未来逻辑晶片及DRAM等制程都需要EUV情况下，EUV需求量将大幅增加，特别是在三星同时拥有逻辑晶片及DRAM制程等半导体产能供给需求下，EUV需求量更是庞大，这也是三星高层日前传出亲自出访ASML的主要原因，不过碍于台积电已经先行卡位，就算ASML在2021年EUV设备供给想要加大供给力道给三星也无计可施。

不过，未来先进半导体逻辑晶片制程将向下推进到3奈米、2奈米，甚至是1奈米制程，届时EUV设备将会出现再度升级，其中高数值孔径技术已经被视为未来发展趋势。

因此三星为了提前卡位布局高数值孔径市场，也同步传出三星有意联手ASML开发次世代的EUV设备市场。根据ASML先前释出讯息，高数值孔径的EUV设备预计在2023年提出原型机，距离商用化至少仍有3年左右时间，因此未来三星是否能卡位成功，仍有待后续观察。