超越传统技术！中国碳基半导体制备材料取得关键突破
与矽基技术制出的晶片相比，碳基技术在处理大数据时，不仅速度更快，还至少节约30的功耗。北京元芯碳基集成电路研究院今（26）日表示，在彭练矛和张志勇教授的带领下，团队把碳基半导体技术从实验室研究向工业化运用推进了一大步。
据陆媒报导，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授带领的团队，多年致力于发展高性能碳基电子学，已经先后于2017年和2018年先后在《科学》期刊上发表过两篇论文。值得注意的是，这次的重大突破，解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度、密度与面积问题，同时也收录在22日的《科学》期刊上。
报导称，团队克服了碳纳米管电子学领域面临的最大的困难和碳基半导体工业化最大的瓶颈，即基础制备材料中的难题，制备出超高半导体纯度、顺排、高密度、大面积均匀的碳纳米管阵列薄膜，进而制备出高性能的、首次超越相似尺寸的矽基CMOS器件和电路。据统计，中国每年进口芯片的花费高达3000亿美元，甚至超过了进口石油的花费。
碳基技术一直也是西方发达国家研发中预替代矽基的新技术，但中国碳基技术起步较早，目前的技术是基于20年前彭练矛院士提出的无掺杂碳基CMOS技术发展而来，近年来取得了一系列突破性的进展，报导称极大地提升了中国在世界半导体行业的话语权。
▲碳基半导体。（图／翻摄人民日报）