调研：NAND Flash疲弱 Q4续跌

DRAM及NAND Flash平均价格季度变化及预估　→资料中心及伺服器业者下半年持续进行库存调整。图／美联社

虽然下半年是智慧型手机及笔电销售旺季，但资料中心及伺服器业者下半年持续进行库存调整。资料中心业者第四季DRAM采购动能已见回温，但对NAND Flash采购动能却是持续低迷不振，市调机构集邦科技旗下半导体研究处认为，第四季NAND Flash供给过剩持续恶化，价格续跌且总产值步上衰退。

根据集邦统计，第三季NAND Flash产业营收达145亿美元，较第二季增加0.3％，其中位元出货季增9％，平均销售单价则季减9％。整体市况可归因于第三季随着年底旺季前消费性电子备货增加与智慧型手机需求回温，其中个人电脑市场则因远距教学推升Chromebook标案需求不坠，然该产品所需容量较低，对NAND Flash位元消耗挹注有限。

除上述以外，由于伺服器与资料中心客户在第二季为避免供应链中断，提升零组件及半成品库存水位，因此第三季开始着手去化，导致采购动能顿失，需求表现疲弱，故第三季NAND Flash各类产品合约价转为下跌。

另外，第三季受美国扩大制裁的影响，刺激华为大量备货，除了针对智慧型手机所需的MCP、UFS产品外，消费性及低容量的MLC eMMC以及元件端的NAND晶圆（wafer）亦有影响，故推升第三季的位元出货量。

展望第四季，伺服器端客户仍延续库存去化策略，采购动能持续疲弱，加上华为禁令衍生的备货动能消退，尽管有中国智慧型手机品牌加大备货力道，及苹果新机上市挹注，仍无法摆脱供过于求态势。供给端三星电子与长江存储持续扩张产出的计划不变，将导致供过于求的状况再度恶化，在价格跌持续走弱的趋势下，预期第四季NAND Flash总产值将出现衰退。

三星电子在NAND Flash产能布局上仍维持在西安二期P2的扩产计划，P2晶圆厂预计明年下半年落成启用，将可新增每月13万片产能。产品方面，92层3D NAND的产出占比仍为大宗，为维持成本竞争力，将致力于协助客户导入128层3D NAND的SSD或UFS等产品，预定2021年有较明显的移转。