台积电宣布3年千亿投资 2大劲敌比得过?

台积电宣布3年千亿投资计划,震撼市场。(图/达志影像)

全球晶圆代工龙头台积电总裁哲家近日对客户发出信件提及,由于新冠肺炎疫情加速数未转型,5G以及高效能运算(HPC)需求激增,台积电过去12个月产能利用率超过100%,依然无法满足客户需求,决定在未来3年投入1,000亿美元扩产及支持先进制程研发。随着台积电2021年第一季法说将于4月15日,下周一(5日)起将为期10天缄默期,台积电大投资计划预料成为市场焦点

与此同时,晶圆代工领域另外2大对手英特尔三星投资规模,台积电先是在今年1月法说提及,将2021年资本支出上调至250亿至280亿美元,等于是资本支出调高约45~62%,将有80%用在7奈米、5奈米以及3奈米扩产与研发,10%用于先进封装技术,10%用于特殊制程,同时2020年至2025年保持年复合成长率10~15%。

然而,随着全球半导体供不应求,魏哲家在信件提及,因应先进制程日益复杂带来的挑战,以及扩充成熟制程产能所需增加的新投资,加上材料成本的增加,将自今年12月31日起暂停明年全年的晶圆代工价格年度折让。

台积电表示,现在正进入一个成长幅度更高的期间,预计未来几年5G和HPC的产业趋势,将驱动对于半导体技术的强劲需求。疫情所带动的数位转型,为了因应市场需求,台积电未来3年投入1,000亿美元增加产能,以支持领先技术的制造和研发,并与客户紧密合作持续支持客户需求。

就在台积电大投资计划消息释出之前,拜登政府的2.25兆元大基建计划细节也出炉,其中3000亿美元本土制造计划,其中500亿美元将用以提升美国半导体生产以及研发,让英特尔、美光等美国公司获得支持。

美国半导体科巨头英特尔新任执行长Pat Gelsinger日前也宣布将在美国亚利桑那州斥资近200亿美元打造2座先进制程晶圆厂,更誓言英特尔进入IDM2.0,提供所有最新的技术整合,将协助系统公司做订制化的晶圆代工、IP、封测,并独立出晶圆代工部门,由英特尔高阶主管Randhir Thakur带领,替客户定制化晶片,展现昔日霸主企图心

台积电本身也在去年5月宣布,将赴美国亚利桑那州投资约120亿美元、建设一座12吋晶圆厂,用以生产5奈米制程,预料将在2024年上半年开始量产。台积电甚至在今年农历年前宣布,将赴日本设置先进封装技术研发中心,资本额不超过186亿日圆,用以3DIC材料研究。欧盟也在今年稍早讨论将建立本土的2奈米制程生产线,并点名台积电、三星等厂商

至于三星电子,于2019年4月24日公布「半导体愿景2030」,打算在2030年成为全球系统半导体龙头,预计砸1160 亿美元发展该公司的晶圆代工业务,打算利用极紫外光(EUV)微影技术超越台积电,并率先在3奈米制程采用环绕闸极技术(Gate-All-Around,GAA),预料将在2022年量产。

相较于英特尔、三星等垂直整合制造(IDM)模式营运的半导体厂商,台积电专研在先进制程与先进封装技术的研发,规模不仅比两者还大,纯晶代工厂角色也能让客户更放心将订单交给台积电,让该公司能稳坐超过50%的高市占率