台日大学合作 银接合技术大突破

成功大学材料系副教授林士刚（右2）与日本大阪大学教授菅沼克昭（左2）团队合作「银/银低温低压直接接合」研究，7日在成大公开成果。中央社记者杨思瑞摄 105年11月7日

成功大学材料系副教授林士刚与日本研究团队合作，提出新观点「银在微小奈米尺度下发生类似火山爆发」现象。中央社记者杨思瑞摄 105年11月7日

成功大学材料系副教授林士刚与日本大阪大学研究团队合作，发现「银在微小奈米尺度下发生类似火山爆发」现象，在银与银的金属接合技术方面有重大突破，已共同申请多国专利。

林士刚去年获邀赴日本大阪大学客座，参与大阪大学产业科学研究所教授菅沼克昭团队的高功率半导体电子元件关键技术，「银/银低温低压直接接合」研究。合作论文已在10月登上国际期刊，成大今天对外公开成果。

林士刚表示，菅沼克昭团队对这项研究有技术基础，但对接合原因感到困惑；他看出实验数据与理论间的疑点，以材料热力学重新计算与推论，提出新观点「银在微小奈米尺度下发生类似火山爆发」现象。

他说，爆发出来银原子发挥胶水般的功能，将两片银黏住；而非原本认为的硬力挤压，导致银原子往表面扩散、累积，造成银与银直接接合。

林士刚指出，业界与学界早就可以在高温（摄氏300度以上）、高压下做金属直接接合。但高温高压接合所需时间长，且常需要复杂的前处理程序；如半导体晶片等脆性材料也不适合高压处理。低温（摄氏250度以下）低压直接接合技术运用范围广，理论上也可运用于异类材质接合。

他说，银与银低温低压直接接合技术，是高功率电子元件重要关键技术；高功率电子元件又是航太科技、能源转换及电力驱动等应用的关键元件、绿能与电动车发展的重要技术。这项研究成果极具商业价值，发展性十足。成大与大阪大学已共同申请台湾、日本等多国专利，将共享研究成果。1051107