市场展望－简山杰：DRAM研发计划不受影响

「晶圆双雄」之一的联华电子公司，日前因涉美光「内鬼」案遭起诉，市场关注联电未来发展；联电总经理简山杰说，相信司法会还联电清白，强调联电不受影响，将持续自主研发，并与大陆策略合作，有信心明年第4季完成第1阶段DRAM技术开发，达成获利及扩大市占率的策略目标。

简山杰说，联电短期发展策略是强化晶圆专工的核心制造技术能力，扩展8吋及12吋制程技术，切入智慧型手机相关应用领域，并导入工业4.0来提升产值。

中期以扩大联电市占率为目标，去年在厦门量产的12吋晶圆厂，提供大陆半导体市场全方位的技术资源与晶圆制造服务，协助客户分散地区性风险，确保竞争优势；长期策略则是持续致力新技术开发及应用，并拓展现有产品以外的市占率，包括物联网、工业应用、车用和家电等应用市场。

他说，联电14奈米良率已达客户要求，今年第2季起开始挹注营收，未来14奈米会以创造获利为导向。另28奈米进入量产后，2016年下半年占营业额20%，预计28奈米对营收贡献，未来仍有20%的水准。

简山杰认为，台湾过去DRAM的投资偏重于授权与制造，少专注在研发。台湾一直都有研发DRAM的机会，有足够人才和技术基础，只是欠缺自行开发。

他强调，联电与大陆在DRAM技术的合作，不仅限于与既有的韩美三大DRAM厂竞争，目标是先在台湾发展自行研发DRAM的能力，把优秀人才和研发团队根留台湾，另由大陆提供资金开发技术，力拚突破韩美重围。

他说，联电正按照无尘室的开发进度，持续执行DRAM研发计划，联电拥有许多经验丰富的工程师，相信可成功开发DRAM技术，预计2018年第4季完成第1阶段的技术开发工作。