联电总经理简山杰：联电自主研发DRAM 绝不窃用他人营业秘密
美国记忆体大厂美光（Micron）大动作在美对联电可能窃取及使用营业秘密一事提出诉讼，联电总经理简山杰对此予以驳斥，强调联电早年就生产过DRAM，本身拥有不少DRAM专利，事隔15年后决定自主研发DRAM技术，目的是为了替台湾半导体产业落实技术扎根。以下是专访纪要。
问：联电重新投入DRAM技术研发原因为何？
答：联电的本业是晶圆代工，顺应市场趋势并强化晶圆代工的服务，联电研发DRAM的经验有助于新世化记忆体的发展，包括MRAM（磁阻式随机存取记忆体）等，等于可以抢先进入有潜力的新市场。再者，联电是借外部力量来研发DRAM技术，福建晋华支持研发费用，双方共同投入研发设备及技术，可快速研发速度，不会挤压联电的获利表现。
联电要独立自主研发DRAM技术，另一个重要意义是为台湾半导体产业落实技术扎根，这是当年联电与世界先进完成自主研发DRAM技术后，相隔15年后再次有台湾企业投入难度最大的DRAM研发工作，意义格外重大。
问：美光对联电提告的关键在于联电多年未涉及DRAM研发及生产，联电的技术来源为何？
答：联电要自主研发DRAM技术。联电在晶圆代工市场多年，长期投入研发已有很好的技术实力，连最先进囗最复杂的14奈米逻辑IC制程都自主研发成功并开始投产，而且许多DRAM技术与联电既有的逻辑技术相通。至于在DRAM特有技术部分，则透过公开的技术报告、逆向工程方式了解，再依据开发路线落实。事实上，DRAM工作原理没有改变，现今的DRAM只是借由更先进的制程技术，达到每位元更低成本的目标，操作原理与15年前研发DRAM时相同。
答：联电目前与国外DRAM设计公司合作，以达成及加速DRAM技术研发。不同于三大DRAM厂有自己的设计团队，联电本业是晶圆代工，所以与DRAM设计公司合作最符合联电的营运模式，与经验丰富的DRAM设计团队合作，可以减少研发过程中的许多不确定性因素，加快问题解决的速度。再者，联电未来的DRAM技术研发成功后，会授权给晋华生产，但联电并没有投资晋华，未来也可争取其它DRAM代工订单。联电目前没有自建DRAM产能计划，不会与台湾现有DRAM厂商竞争。
问：联电自行研发的DRAM技术与美光的DRAM技术并不相同？
答：联电不了解美光制造DRAM的内容，因此无从说明两者之差异，但根据第三方TechInsights于2013年发表文章，有分析美光、尔必达、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主动区（Active Area，AA）设计，但联电DRAM选择交错式AA设计，与美光的记忆胞架构明显不同。DRAM的记忆胞是技术上最核心之处，选择不同的记忆胞架构，代表了不同的研发道路，证明联电和美光的技术核心不相同。