加速先进IC封装上市时程 蔡司推3D X-ray成像解决方案

德国蔡司（ZEISS）第二次参加台湾国际半导体展，17日宣布推出次微米解析度3D非破坏性的成像解决方案ZEISS Xradia 620 Versa RepScan，能透过检验与量测功能加速先进IC封装的上市时程。新系统运用3D X-ray显微镜（XRM）及蔡司远距高解析（RaaD）技术与精密的分析软体，能够为深埋在最先进封装内的晶片提供完整的体积与线性量测。

蔡司表示，此方法远超过使用物理横切面、2D X-ray、microCT（高解析度电脑断层扫描）等既有量测方式所能及，且新系统能提供更精准的资料结果，是缩短先进封装的开发与良率学习周期最有利的机台设备。在台湾主要客户群包括台积电、联电等晶圆代工厂，日月光、京元电等封测代工厂，以及闳康、宜特等检测服务业者。

蔡司新系统支援复杂的小间距3D架构设计验证、产品开发、制程最佳化与品保品管，包含2.5D中介层、具备直通矽晶穿孔与微凸块的高频宽记忆体堆叠、层叠封装互连及单一堆叠中内含多晶片的超薄记忆体。

行动与高效装置对于微缩及传输效能的需求不断提高，使得业界在高密度多晶片架构的许多创新，而这些设计也带动封装技术迈入立体化，使得制程的量测技术成为是否能推出新颖且先进技术的关键，而这些技术的制程宽容度（process margin）通常较低或较难被控制。

事实上，晶片先进封装制程开始由植球技术转进采用RDL制程的扇出型封装，或加入矽中介层及TSV制程的2.5D/3D IC封装，晶片复杂度愈高，传统量测技术已无法有效观测晶片结构。业界目前针对先进封装架构推出的方案仍属少数，蔡司希望能借由新系统的推出，在非破坏性3D X-ray量测市场提早卡位并扩大市占率。

蔡司半导体制造技术业务发展总监Thomas Gregorich表示，现今先进封装中因晶片尺寸太小，已无法用2D x-ray与microCT这类非破坏性的方法来观测。此外，物理横切面除了无法提供3D立体资料之外，还属于破坏性量测，较为耗时，通常也只能处理少量样本，就统计层面来说，改进制程控制的成效有限。蔡司新推出的3D X-ray量测解决方案，将可提供更好的3D影像模拟，加快晶片上市时间。