台积电「新RD研发中心」预计2021年启用！扩增8000名科学家、工程师组研发大军
▲台积电业务开发资深副总经理张晓强透露新建的R&D研发中心消息。（图／翻摄自台积电）
晶圆代工厂「台积电」（2330）25日举行技术论坛，业务开发资深副总经理张晓强表示，台积电持续扩大投资，2019年半导体研发经费高达近30亿美元，保证在今天、在未来的最领先技术带给客户，同时他也透露，台积电新建的R&D研发中心，会有一条全世界最领先的半导体研发生产线，预计在2021年建成，将容纳8000位科学家和工程师。台积电将继续研发、投资、创新，带动半导体新技术的开发。
张晓强介绍，台积电7奈米于2017年进入量产，很快成为5G、AI、HPC领域最重要的技术，至今为止已产出10亿颗，「我可以坦白地讲，你的5G手机最重要的晶片出自台积电7奈米。」其中，极紫外光（EUV）科技是未来发展重要的核心技术，台积电是第一家量产EUV的公司；2019年下半年提到的6奈米制程，目前已进入试产，除了提高7奈米的效能，最大的好处是平台兼容性，沿用客户投资并得到回报。
台积电2020年再次领先全球，率先进入5奈米制程量产，比起7奈米，速度提高15%，功耗降低30%，逻辑电晶体密度增1.8倍，良率超过同一时期量产的7奈米，同时也推出「5奈米加强版」（N5P）。张晓强进一步指出，4奈米则是建立在5奈米平台上，把5奈米效能与功耗进一步向前推进，4奈米与5奈米互相兼容，2021年第四季试产、2022年量产。
至于3奈米制程，张晓强表示，沿用FinFET（鳍式场效电晶体）的原因，这里有两大考量，研发团队通过不断创新革新，发现新方式把FinFET提升到新的高度，同时尽快交给客户使用，因此决定延用FinFET制程；不过他也强调，3奈米是全新的节点技术，在各方面效能都有明显提高，与5奈米相比，速度增加10%至15%，功耗降25%至30%，逻辑电晶体密度增1.7倍，预计2022年下半年量产。
▲台积电新建的R&D研发中心，会有一条全世界最领先的半导体研发生产线，预计在2021年建成，将容纳8000位科学家和工程师。（图／翻摄自台积电）
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