封装密度要求持续提高 晶片互连朝混合键合技术发展

互连（interconnect）技术是晶片间的沟通桥梁，从传统的打线（wire bond）、覆晶封装、微凸块（μbump）到直通矽晶穿孔（Through Silicon Via；TSV）、重布线层（Redistribution Layer；RDL）、矽桥晶片（silicon bridge chip）等，满足晶片效能持续提升需求；因应晶片朝更高密度整合趋势，混合键合（hybrid bonding）将成新方案。

打线封装、覆晶封装虽是目前市场上IC主流互连技术，但在电子装置体积与功能要求及晶片朝更高效能发展下，2.5D封装所需的互连技术转向以TSV、RDL为主，而矽桥晶片则是相对新兴的互连解决方案。多数IDM、晶圆代工与委外半导体封测业者（OSAT）均已布局TSV、RDL技术，而英特尔、台积电、矽品则另有矽桥晶片解决方案。

DIGITIMES Research分析师陈泽嘉表示，由于高效能运算（HPC）晶片对效能、封装密度要求持续提升，微凸块技术虽可实现HPC晶片3D封装需求，但面对更高I/O数、更低功耗的发展趋势下，混合键合技术因可进一步缩小键合间距（bond pitch），提高I/O密度、频宽密度（bandwidth density）、降低功耗等优点，可望成为未来HPC晶片互连的新方案，吸引包含英特尔、台积电与格芯（GlobalFoundries）等业者投入混合键合技术开发。