爱普DRAM方案 晶圆大厂爱

继台积电及力积电相继发表3D先进封装技术后，武汉新芯日前亦发布3D先进封装技术3DLink，三大晶圆代工厂的关键记忆体晶圆均采用爱普（6531）DRAM方案，将系统单晶片及客制化38奈米DRAM透过晶圆堆叠晶圆（WoW）制程结合。晶圆代工厂希望透过3D封装技术提高频宽，解决困扰人工智慧及高效能运算（AI/HPC）市场多年的范纽曼瓶颈（von Neumann bottleneck）。

爱普公告11月合并营收月增15.4％达3.21亿元，较去年减少12.5％，累计前11个月合并营收31.38亿元，约与去年同期持平，由于爱普已淡出DRAM颗粒销售，营收能维持去年水准代表转型成功。爱普已发表逻辑与DRAM的WoW堆叠技术，并命名为VHM（Versatile Heterogeneous Memory），商业模式在收取矽智财（IP）的授权金及权利金，包括提供3D堆叠客制化及相对应的逻辑介面IP。

现行的AI/HPC晶片虽然采用2.5D或3D封装技术，将处理器及DRAM整合封装在同一晶片中，但仍是采用处理器与DRAM分开的运算架构。处理器在执行推论或训练等AI运算时，因为资料量过于庞大，处理器就算拥有极高的运算时脉，但DRAM的读写速率跟不上，加上处理器及DRAM之间传输速率宽频不够大，因而造成处理器算力闲置，形成范纽曼瓶颈。

晶圆代工厂近几年开始透过3D先进封装来解决AI/HPC运算架构中的范纽曼瓶颈难题，以台积电为例，除了利用小晶片（Chiplet）结构，也发展出CoWoS或SoIC等3DFabric先进封装平台，将处理器及高频宽记忆体（HBM）堆叠，同时开发出LIPINCON的传输技术，提高小晶片之间、处理器及记忆体之间的资料传输速率。同时，台积电与记忆体厂合作投入WoW技术开发，爱普已顺利打进供应链。

力积电日前也宣布与爱普针对WoW技术进行合作，发展出逻辑IC和DRAM垂直异质叠合（Hybrid Bonding）制程，并共同研发下一代AI应用所需的新型DRAM架构。力积电表示透过此一技术突破，逻辑电路与DRAM之间的资料传输频宽将达现行HBM的5倍以上。

武汉新芯日前宣布推出3DLink先进封装平台，锁定AI/HPC及飞时测距（ToF）等应用市场。而武汉新芯客户发布采用WoW制程的边缘运算HPC晶片，将40奈米SoC与38奈米客制化DRAM堆叠，大幅提升处理器及DRAM之间的资料传输频宽，关键的DRAM晶圆也采用爱普方案。