《科技》新思技术挤进台积电9000计划

新思科技今(21)日推出适用于台积电(2330)领先业界N3制程技术之DesignWare制程、电压与温度(PVT)监控与感测子系统IP。PVT监控与感测子系统IP已纳入台积电9000计划、台积电技术元件资料库以及IP品质管理计划中，针对各种目标市场应用，包括人工智慧(AI)、资料中心、高效能运算(HPC)、消费性产品及5G等，为客户提供极具竞争力的效能优势。以台积电最先进制程作为晶片设计目标的SoC设计人员，可利用深度嵌入式PVT监控和感测子系统技术，评估生产过程中的关键晶片参数，以及在装置生命周期的每个阶段进行即时动态条件的测量和分析。

目前已隶属新思科技的Moortec所提供的晶片内(in-chip)感测仍然是当今先进制程技术中能实现最高效能和可靠性的要素，可支援优化方案、遥测和分析。子系统中的IP是新思科技晶片生命周期管理 平台的基础元素。SLM流程始于在晶片深处放置晶片内感测器和 PVT监视器，其所提供的资料将有助于了解晶片效能和功耗活动，并让SLM平台的分析引擎能够在半导体生命周期的每个阶段带来更详细精确的优化。

台积电设计建构管理处副总经理Suk Lee表示，台积电持续与生态系统合作伙伴合作，解决客户在功耗和效能方面的设计挑战，并透过使用台积电最新技术的设计解决方案，实现新一代的晶片创新。最新的新思DesignWare PVT监控IP证明了与新思持续合作的价值，双方客户在受益于台积电N3制程技术所带来的功耗和效能优势的同时，新的IP也将持续提供产品支援。

新思硬体分析及测试事业群副总裁Amit Sanghani表示，设计的复杂性和装置闸密度不断增加，在相关需求的推动下，PVT监控的采用关系着先进节点的晶片设计是否成功。全套的DesignWare嵌入式PVT监视器和感测器是新思创新的新型晶生命周期管理平台的一环，将为晶片设计界提供创新的晶片内感测技术、即时的深度晶片洞悉，并在整个晶片生命周期中提升产品的利用率。

新思DesignWare PVT监控和感测子系统可配置到特定的领域应用，目前可供先期客户整合。