晶圆代工三强争锋 外资：台积独占鳌头
野村证券半导体产业分析师郑明宗指出，在野村亚洲投资论坛上，与专家针对台积电、英特尔、南韩三星的晶圆代工先进制程争霸，进行深入讨论后，确信台积电将自5奈米时代起进一步拉开与三星差距，台积电亦将保持与英特尔竞争的优势地位，独居鳌头。
野村证券近期举行「野村亚洲投资论坛」，首要重头戏就是其半导体研究团队与IC Knowledge创办人、在半导体与MEMS产业具35年经验的Scotten W. Jones，进行半导体先进制程竞争版图的深度讨论。
在台积电、英特尔、三星的先进制程争霸上，市场最关心问题分为三大面向：三星先进制程落后状况、三星未来3奈米制程转采水平奈米片（HNS）是否为冒险之举，以及英特尔CPU未来委外代工的变化。
首先，三星在5奈米制程远落后给台积电，且良率提升比过去更缓慢，野村亚洲投资论坛的半导体深入探讨结果认为，三星长期以来急于推出新技术，用以声称技术领先，但最终良率都相当有限，野村证券直指，三星在5奈米制程上落后的良率差距，比起过去任何一制程都要庞大。
其次，三星运用HNS电晶体结构踏入3奈米制程，是否为十分冒险的举动？跟前述的观点类似，因三星有志于占据「技术第一」地位，像是先前在7奈米制程也是全球最早采用EUV者，甚至比台积电还早一年，可以理解三星采用HNS来对抗台积电3奈米制程的FinFET。
专家指出，HNS有九成与FinFET相似，但剩下的10％电晶体结构差异非常难达到，尽管新结构可以创造功耗优势，但对三星而言，无疑暴露在非常大的执行风险中。
另外，英特尔将于2023年把部分CPU委外代工给台积电3奈米制程，已广为市场知悉，但未来会不会继续下单给台积电2奈米制程？Jones认为，台积电2奈米制程密度为500 MTx/mm2（每平方毫米百万电晶体），英特尔5奈米制程密度则约400 MTx/mm2，台积电在下一场先进制程正面对决中，仍会取得胜利，不过，英特尔5奈米效能表现可能与台积电2奈米相去不远，这样一来，台积电的优势主要将来自成本节省层面。
Jones指出，因台积电毛利率剑指五成高水准，英特尔未来会不会继续委由台积电2奈米制程代工，现在言之过早。
野村证券则认为，最后还是要看英特尔自身先进制程的执行力而定。