EV Group推无光罩微影技术 攻先进封装市场

微机电系统（MEMS）、奈米科技与半导体市场的晶圆接合暨微影技术设备厂EV Group（EVG）今日发表具革命性的次世代微影MLE（Maskless Exposure）技术，能满足先进封装、微机电系统、生物医学及高密度印刷电路板（PCB）等应用在未来后段微影制程的各种需求。

MLE是全球首创为量产环境提供高扩充性的无光罩微影技术，除了结合高解析度的电路图案成形（patterning）、高传输量与高良率等特色外，还可消弭光罩衍生的各种高昂间接成本，例如光罩的管理与基础设施的维护。此外，MLE更具备卓越的弹性，可大幅缩短新元件的开发周期。

MLE技术透过采用紧密整合群聚式写入头（write-head）组态，及多重波长高功率紫外线光源，不仅能容纳各种大小晶圆及大尺寸面板，还能支援所有市售的光阻剂。

此外，制程产出量不受电路配置的复杂度及解析度影响，且MLE不论使用何种光阻剂都能维持相同的电路图案成形效能。MLE补足EVG现有微影系统产品线，针对各种在使用其他技术方案中面临扩充性、拥有成本（CoO）及其他限制的新兴应用的需求。

MLE技术目前正于EVG公司总部展示，并正在纳入EVG新设备产品系列的阶段，日后将于适当的时机对外发表。

EVG技术执行总监Paul Lindner表示，我们全新的MLE技术在各种后段制程微影应用将能发挥所长，且与其他需在效能与成本之间妥协的步进机（Stepper）等图案成形技术不同，客户再也不用为了满足后段图案成形的需求，在解析度、速度、弹性与拥有成本之间做出取舍。

Paul Lindner指出，透过与许多试用客户共同进行的初期研发成果，已证实MLE技术的应用范围相当广泛且数量正持续增加。在此独特曝光技术从研发阶段迈入成为首款产品之际，我们期盼能与业界更多的公司合作，以支援更广泛能受益于MLE技术的新元件与应用。

异质整合逐渐成为半导体研发与创新的驱动力，影响范围遍及先进封装、微机电系统及PCB市场，使后段制程微影的需求也持续升高。例如在先进封装方面，因为线宽／线距（L／S）越来越微缩，因此对重分布层（RDL）与中介层的最低解析度要求也越来越严苛。

在某些情况下，当接近或小于2微米时，晶粒配置的变化及采用具成本效益的有机基板会需要在电路图案成形时拥有更高的弹性。此外，对于更高叠层（overlay）精准度与垂直侧壁电路图案成形之高景深的要求也持续升高。

其他像是降低扇出型晶圆级封装（FoWLP）中的图案扭曲与晶粒偏移，及支援厚的与薄的光阻剂，都是当前与未来先进封装微影系统可能会面临的新需求。

在微机电系统制造方面，由于产品组合相当复杂，光罩（mask）／微缩成像光罩（reticle）的间接成本对拥有成本的影响力持续提高，因此良好的对焦控制成为沟槽区电路图案成形的关键。在PCB与生物医学市场，各界则要求越来越高的电路图案弹性，以因应大范围的电路与基板尺吋。